203424
酸化インジウム(III)
99.998% trace metals basis
別名:
三二酸化インジウム, 三酸化二インジウム
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この商品について
Quality Level
vapor pressure
<0.01 mmHg ( 25 °C)
assay
99.998% trace metals basis
form
powder
composition
In₂O₃
reaction suitability
reagent type: catalyst
core: indium
density
7.18 g/mL at 25 °C (lit.)
application(s)
battery manufacturing
SMILES string
O=[In]O[In]=O
InChI
1S/2In.3O
InChI key
SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N
Application
- Synthesis and Characterization: The development of gold nanoclusters on the surface of tin and indium oxide films, synthesizing new materials for advanced applications (Korotcenkov et al., 2014).
- Photocatalysis: Using nitrogen/sulfur-codoped carbon-coated indium oxide nanoparticles as excellent photocatalysts, providing insights into environmental and energy applications (Sun et al., 2019).
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保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
第一種指定化学物質
prtr
名称等を表示すべき危険物及び有害物
ishl_indicated
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
203424-5G:4.548173315003E12 + 203424-25G:4.54817331499E12
jan
資料
シラン前駆体から製造された自己組織化ナノ誘電体を用いた多層ゲート誘電膜の可能性と展望を簡単にまとめました。
スペクトル変換におけるランタノイドイオンは、光子変換によって太陽電池の効率を高めます。
Review the potential of self-assembled multilayer gate dielectric films fabricated from silane precursors for organic, inorganic, and transparent TFT and for TFT circuitry and OLED displays.