632317
酸化インジウム(III)
nanopowder, <100 nm particle size (TEM), 99.9% trace metals basis
別名:
三二酸化インジウム, 三酸化二インジウム
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この商品について
実験式（ヒル表記法）:
In2O3
CAS番号:
分子量:
277.63
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352302
EC Number:
215-193-9
MDL number:
Quality Level
vapor pressure
<0.01 mmHg ( 25 °C)
assay
99.9% trace metals basis
form
nanopowder
reaction suitability
reagent type: catalyst
core: indium
particle size
<100 nm (TEM)
density
7.18 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES string
O=[In]O[In]=O
InChI
1S/2In.3O
InChI key
SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N
General description
酸化インジウム（III）は、電子工学、光学、材料科学において重要な用途を持つ多用途の化合物です。導電性と光透過性のため、特にフラットパネルディスプレイや太陽電池用の透明導電性酸化物（TCO）の合成に広く使用されています。半導体技術では、インジウムスズ酸化物（ITO）の製造に使用され、電子機器の性能を向上させます。また、さまざまなガスに敏感であるため、ガス検知用途、特に有害ガスの検出に適しています。
Application
- CO2光触媒のためのアミン修飾表面フラストレートルイス対：水酸化酸化イリジウムとアミン修飾表面フラストレートルイス対を使用したCO2還元の光触媒性能の強化について議論しています（Q Guan et al., 2024）。
- UV光励起によるガスセンシングの性能向上：400 nmのUV光励起による、酸化インジウム(III)などの金属酸化物半導体ケミレジスタの室温ガスセンシング能力の改善について探索しています（S Paul et al., 2024）。
- 工業およびナノ粒子合成におけるインジウム(III)錯体：さまざまな工業用途および酸化インジウムのようなナノ粒子の合成における触媒および前駆体としての3価インジウム錯体の使用について概説しています（TO Ajiboye et al., 2024）。
- Ag/In2O3逆オパールの合成：銀／酸化インジウム逆オパール構造の合成および視点の詳細を示し、その光学特性に基づく半導体用途における可能性を強調しています（AV Lyutova et al., 2024）。
- ヒドロキシラジカルおよびマンガン種の光触媒的生成：可視光下の効率的なマイクロ汚染物質除去のための過マンガン酸塩の光触媒性能の強化における酸化インジウムの使用について調査しています（J Li et al., 2024）。
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保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
第一種指定化学物質
prtr
名称等を表示すべき危険物及び有害物
ishl_indicated
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
632317-25G:4.548173313238E12 + 632317-5G:4.548173313245E12
jan
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