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Merck

747092

C8-BTBT

≥99% (HPLC)

別名:

2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

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この商品について

実験式(ヒル表記法):
C30H40S2
CAS番号:
分子量:
464.77
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23
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assay

≥99% (HPLC)

form

powder

mp

108-112 °C

semiconductor properties

P-type (mobility=5.5 cm2/V·s)

SMILES string

CCCCCCCCC1=CC2=C(C=C1)C3=C(C(C=CC(CCCCCCCC)=C4)=C4S3)S2

InChI

1S/C30H40S2/c1-3-5-7-9-11-13-15-23-17-19-25-27(21-23)31-30-26-20-18-24(22-28(26)32-29(25)30)16-14-12-10-8-6-4-2/h17-22H,3-16H2,1-2H3

InChI key

YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N

General description

C8-BTBTは、空気安定性半導体開発のための基材として使用される、[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]-ベンゾチオフェン(BTBT)を有する導電性高分子です。本化合物は、スピンコーティングされた薄膜を形成し、電荷移動度43 cm 2V-1s-1のp型半導体として使用することができます。本化合物はグラフェンおよび六方晶窒化ホウ素(hBN)上の高度に組織化された自己組織化単分子膜(SAM)であり、以下のシート抵抗を有しています。<1,000オーム/スクエア

Application

5.5~5.7 cm2/Vsの高い電界効果移動度および109の高いオン/オフ比;溶液プロセスによる(溶解度80 mg/mL)OFET
C8-BTBTは共役ポリマーであり、有機太陽電池(OPV)、有機発光ダイオード(OLED)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)など、さまざまな有機エレクトロニクスベースのアプリケーションで使用することができます。

Legal Information

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保管分類

11 - Combustible Solids

wgk

WGK 3

flash_point_f

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資料

Zhenan Bao教授(Stanford University)が、有機電界効果トランジスタ(OFET)用の本質的に伸縮可能な高分子半導体を開発するための5つの手法を紹介します。

Small molecular weight organic semiconductors are promising for flexible transistor applications in next-gen soft electronics.

Intrinsically stretchable active layers for organic field-effect transistors (OFET) are discussed. Polymer structural modification & post-polymerization modifications are 2 methods to achieve this.


Solution-processable organic single crystals with bandlike transport in field-effect transistors.
Liu C, et al.
Advanced Materials, 23(4), 523-526 (2011)
Orientation-dependent energy level alignment and film growth of 2, 7-diocty [1] benzothieno [3, 2-b] benzothiophene (C8-BTBT) on HOPG.
Lyu L, et al.
J. Chem. Phys., 144(3), 034701-034701 (2016)
Hideaki Ebata et al.
Journal of the American Chemical Society, 129(51), 15732-15733 (2007-11-30)
2,7-Dialkyl[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophenes were tested as solution-processible molecular semiconductors. Thin films of the organic semiconductors deposited on Si/SiO2 substrates by spin coating have well-ordered structures as confirmed by XRD analysis. Evaluations of the devices under ambient conditions showed typical p-channel FET responses