276855
ジメチルスルホキシド
anhydrous, ≥99.9%
別名:
DMSO, メチルスルホキシド
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この商品について
grade
anhydrous
Quality Level
vapor density
2.7 (vs air)
vapor pressure
0.42 mmHg ( 20 °C)
assay
≥99.9%
form
liquid
autoignition temp.
573 °F
expl. lim.
42 %, 63 °F
impurities
<0.005% water
evapn. residue
<0.0005%
color
colorless
refractive index
n20/D 1.479 (lit.)
bp
189 °C (lit.)
mp
16-19 °C (lit.)
solubility
H2O: miscible (completely)
density
1.10 g/mL (lit.)
SMILES string
CS(C)=O
InChI
1S/C2H6OS/c1-4(2)3/h1-2H3
InChI key
IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N
General description
Application
Other Notes
ジメチルスルホキシド混和性/非混和性一覧表
Legal Information
Disclaimer
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保管分類
10 - Combustible liquids
flash_point_f
188.6 °F - closed cup
flash_point_c
87 °C - closed cup
ppe
Eyeshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
第4類:引火性液体 + 第三石油類 + 危険等級III + 水溶性液体
fsl
名称等を表示すべき危険物及び有害物
ishl_indicated
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
資料
TiO2は、電子工学的には広いバンドギャップ半導体とメモリスタ特性を示し、光学的には高い不透明性と紫外吸収性を示します。
注目の新技術「ペロブスカイト太陽電池」を簡単に作製できる実験手順をご紹介します。
TiO2 exhibits wide band gap semiconductor and memristor properties electronically, with high opacity and UV absorbance optically.
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