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Merck

339113

Tantalum(V) ethoxide

99.98% trace metals basis

Sinónimos:

Pentaethoxytantalum, Pentaethyl tantalate, Tantalum ethylate, Tantalum pentaethoxide, Tantalum(V) ethoxide

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Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
Ta(OC2H5)5
Número CAS:
6074-84-6
Peso molecular:
406.25
UNSPSC Code:
12352103
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
24860612
MDL number:
MFCD00049785
Beilstein/REAXYS Number:
3678999

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Nombre del producto

Tantalum(V) ethoxide, 99.98% trace metals basis

InChI

1S/5C2H5O.Ta/c5*1-2-3;/h5*2H2,1H3;/q5*-1;+5

SMILES string

CCO[Ta](OCC)(OCC)(OCC)OCC

InChI key

HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N

assay

99.98% trace metals basis

form

liquid

reaction suitability

core: tantalum
reagent type: catalyst

impurities

<2 wt. % toluene

refractive index

n20/D 1.487 (lit.)

bp

155 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

21 °C (lit.)

density

1.566 g/mL at 25 °C (lit.)

Quality Level

100

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Application

Tantalum ethoxide is used as a precursor
  • To synthesize modified tantalum-alkoxo complexes, enabling the fabrication of Ta₂O₅ thin films with tunable optical properties.
  • In the sol–gel synthesis of tantalum oxide nanoparticles, which, when doped with rare earth elements, form wide band gap semiconductors showing both stokes and anti-stokes visible luminescence.
  • To synthesize hollow TaOx nanoshells in the formation of Bi₂S₃@TaOx-HA core–shell nanoparticles, which serve as multifunctional theranostic agents for CT/photoacoustic imaging and enhanced photothermal cancer therapy.

Features and Benefits

  • 99.98% purity on a trace metals basis ensures minimal contamination for critical applications, resulting in superior quality materials.
  • Low metal impurities (< 250.0 ppm) enhance sol-gel formation for the synthesis of nanoparticles.

General description

Tantalum(V) ethoxide is primarily used to produce tantalum oxide thin films for applications in optics, semiconductors, and electrochromic devices. These films possess high refractive index and excellent electrical insulation properties. Additionally, when tantalum is alloyed with other metals, it gains enhanced strength, ductility, and corrosion resistance, making it highly suitable for applications in electronics and advanced materials. Our 99.98% trace metals basis of Tantalum(V) ethoxide is suitable for the synthesis of  tantalum oxide by chemical vapor deposition (CVD).

pictograms

Flame
GHS02

signalword

Warning

hcodes

H226

Hazard Classifications

Flam. Liq. 3

Clase de almacenamiento

3 - Flammable liquids

wgk

WGK 1

flash_point_f

84.2 °F - closed cup

flash_point_c

29 °C - closed cup

ppe

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter

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MKCQ6239
MKCQ0426
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